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VWM350-0075P中文资料

  • 大小:73.85KB
  • 厂家:IXYS [IXYS Corporation]
  • 描述:Three phase full bridge with Trench MOSFETs
  • 标准包装:6
  • 类别:分离式半导体产品
  • 家庭:FET - 阵列
  • 系列:-
  • FET 型:6 N-沟道(3 相桥)
  • FET 特点:标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss):75V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:340A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.3 毫欧 @ 250A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 2mA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs:450nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds:-
  • 功率 - 最大:-
  • 安装类型:通孔
  • 封装/外壳:V2-PAK
  • 供应商设备封装:V2-PAK
  • 包装:盒

VWM350-0075P供应商

更新时间:2022-12-30 22:38:53
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